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AP9468GH中文资料

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  • 描述:Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼ Lower Gate Charge BV DSS 40V ▼ Simple Drive Requirement R DS(ON) 7mΩ ▼ Fast Switching Characteristic I D 75A Description □ Absolute Maximum Ratings Symbol Units V DS V V GS V I D @T C =25℃ A I D @T C =100℃ A I DM A P D @T C =25℃ W W/℃ T STG ℃ T J ℃ Symbol Value Units Rthj-c Maximum Thermal Resistance, Junction-case 1.4 ℃/W Rthj-a Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient 110 ℃/W Data & specifications subject to change without notice AP9468GH/J RoHS-compliant Product Parameter Rating Drain-Source Voltage 40 Gate-Source Voltage ±20 Continuous Drain Current 3 75 0.7 Storage Temperature Range Operating Junction Temperature Range Continuous Drain Current 57 Pulsed Drain Current 1 300 -55 to 150 -55 to 150 89 Total Power Dissipation Thermal Data Parameter Linear Derating Factor 200810232 1 G D S TO-252(H) Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ru

AP9468GH供应商

更新时间:2023-01-03 05:21:09
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